霍爾(er)效應(ying)的測量是(shi)研(yan)究半導(dao)體的重要(yao)實驗(yan)方法。利(li)用(yong)霍爾(er)系數和(he)電(dian)導(dao)率的聯合(he)測量，霍(huo)爾效應(ying)測試儀可以(yi)用(yong)來確定(ding)半導(dao)體的導(dao)電(dian)類(lei)型和(he)載流(liu)子濃度(du)。通(tong)過測量霍(huo)爾系數與電(dian)導(dao)率溫(wen)度(du)的變化，可(ke)以(yi)確定(ding)半導(dao)體的禁帶(dai)寬度(du)、雜質(zhi)電(dian)離(li)能(neng)及(ji)遷(qian)移率的溫(wen)度(du)系數等基(ji)本(ben)參(can)數。